安装类型

Surface Mount

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

供应商器件包装

US6

厂商

Toshiba Semiconductor and Storage

Active

150mA

5 V

200 mW

NPN, PNP

+ 125 C

120 at 2 mA, 6 V

SMD/SMT

120 MHz, 150 MHz

50 V

系列

Automotive, AEC-Q101

操作温度

-

技术

Si

配置

Dual

功率 - 最大

200mW

晶体管类型

NPN, PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 10mA, 100mA, 250mV @ 10mA, 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

120MHz, 150MHz

集电极基极电压(VCBO)

60 V