规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
供应商器件包装
ES6
厂商
Toshiba Semiconductor and Storage
Active
150mA
AEC-Q200
5 V
100 mW
NPN, PNP
+ 150 C
120 at 2 mA, 6 V
4000
SMD/SMT
80 MHz
HN1B04FE-Y,LXHF(B
Toshiba
Toshiba
400 at 2 mA, 6 V
Details
50 V
操作温度
150°C (TJ)
包装
MouseReel
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Dual
功率 - 最大
100mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN, PNP
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
120 @ 2mA, 6V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
250mV @ 10mA, 100mA, 300mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
频率转换
80MHz
集电极基极电压(VCBO)
50 V
连续集电极电流
150 mA
产品类别
Bipolar Transistors - BJT