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TH50VSF3581AASB

型号:

TH50VSF3581AASB

封装:

-

描述:

Description: IC SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA69, 12 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-69, Memory IC:Other

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    69

  • Transferred

  • TOSHIBA CORP

  • BGA

  • LFBGA, BGA69,10X12,32

  • 90 ns

  • 2097152 words

  • 2000000

  • 85 °C

  • -30 °C

  • PLASTIC/EPOXY

  • LFBGA

  • BGA69,10X12,32

  • RECTANGULAR

  • GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH

  • 3 V

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    TIN LEAD

  • 附加功能

    USER CONFIGURABLE AS 4M X 8 FLASH AND CONTAINS SRAM CONFIGURED AS 512K X 16 OR 1M X 8

  • HTS代码

    8542.32.00.71

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    69

  • JESD-30代码

    R-PBGA-B69

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    3.3 V

  • 温度等级

    OTHER

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.67 V

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.05 mA

  • 组织结构

    2MX16

  • 座位高度-最大

    1.4 mm

  • 内存宽度

    16

  • 记忆密度

    33554432 bit

  • 内存IC类型

    MEMORY CIRCUIT

  • 混合内存类型

    FLASH+SRAM

  • 长度

    12 mm

  • 宽度

    9 mm

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