![TH50VSF3581AASB](https://res.utmel.com/Images/category/Memory Cards, Modules.png)
TH50VSF3581AASB
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Description: IC SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA69, 12 X 9 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-69, Memory IC:Other
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
69
Transferred
TOSHIBA CORP
BGA
LFBGA, BGA69,10X12,32
90 ns
2097152 words
2000000
85 °C
-30 °C
PLASTIC/EPOXY
LFBGA
BGA69,10X12,32
RECTANGULAR
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
3 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN LEAD
附加功能
USER CONFIGURABLE AS 4M X 8 FLASH AND CONTAINS SRAM CONFIGURED AS 512K X 16 OR 1M X 8
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
69
JESD-30代码
R-PBGA-B69
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.3 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
2.67 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.05 mA
组织结构
2MX16
座位高度-最大
1.4 mm
内存宽度
16
记忆密度
33554432 bit
内存IC类型
MEMORY CIRCUIT
混合内存类型
FLASH+SRAM
长度
12 mm
宽度
9 mm
TH50VSF3581AASB PDF数据手册
- 数据表 :