![TH50VSF0302BAXB](https://static.esinoelec.com/200image/3ef7727f3b4747205362d145f6a15a4f.jpg)
TH50VSF0302BAXB
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IC SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA48, 10 X 12 MM, 1 MM PITCH, PLASTIC, BGA-48, Memory IC:Other
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
48
No
Obsolete
TOSHIBA CORP
BGA
LBGA, BGA48,6X8,40
100 ns
85 °C
-20 °C
PLASTIC/EPOXY
LBGA
BGA48,6X8,40
RECTANGULAR
GRID ARRAY, LOW PROFILE
3 V
1000000
1048576 words
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
SRAM IS ORGANISED AS 128K X 8
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
unknown
引脚数量
48
JESD-30代码
R-PBGA-B48
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
3.6 V
温度等级
OTHER
电源电压-最小值(Vsup)
2.7 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.04 mA
组织结构
1MX8
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00003 A
记忆密度
8388608 bit
内存IC类型
MEMORY CIRCUIT
混合内存类型
FLASH+SRAM
长度
12 mm
宽度
10 mm