STW35N65M5
TO-247-3
Trans MOSFET N-CH 650V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
27A Tc
10V
1
160W Tc
60 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ V
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
Not Applicable
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
98MOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
基本部件号
STW35N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
160W
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
60 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
98m Ω @ 13.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3750pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
83nC @ 10V
上升时间
12ns
Vgs（最大值）
±25V
下降时间（典型值）
16 ns
连续放电电流(ID)
27A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
雪崩能量等级（Eas）
800 mJ
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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STW35N65M5
Through Hole
TO-247-3
27 A
27A (Tc)
25 V
160 W
160W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
30 A
30A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
33 A
33A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
31.2 A
31.2A (Tc)
20 V
-
277.8W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
35 A
35A (Tc)
25 V
208 W
210W (Tc)
10V
STW35N65M5 PDF数据手册
- 数据表 :