STW30N65M5
TO-247-3
Transistor MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin (3+Tab) TO-247 Tube
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
17 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
22A Tc
10V
1
140W Tc
50 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ V
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电阻
139mOhm
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
AVALANCHE ENERGY RATED
基本部件号
STW30N
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
140W
接通延迟时间
50 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
139m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2880pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
64nC @ 10V
上升时间
8ns
Vgs（最大值）
±25V
下降时间（典型值）
10 ns
连续放电电流(ID)
22A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
650V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
88A
雪崩能量等级（Eas）
500 mJ
高度
20.15mm
长度
15.75mm
宽度
5.15mm
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
STW30N65M5
Through Hole
TO-247-3
22 A
22A (Tc)
25 V
140 W
140W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
22.4 A
22.4A (Tc)
20 V
195.3 W
195.3W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
24 A
24A (Tc)
25 V
150 W
150W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
28 A
28A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
27 A
27A (Tc)
25 V
160 W
160W (Tc)
10V
STW30N65M5 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :