规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
18 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
22.4A Tc
10V
1
195.3W Tc
52.8 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
CoolMOS™
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
195.3W
接通延迟时间
12.4 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
150m Ω @ 9.3A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 900μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2340pF @ 100V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
86nC @ 10V
上升时间
7.6ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
5.6 ns
连续放电电流(ID)
22.4A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
650V
漏源击穿电压
700V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
72A
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
IPW65R150CFDFKSA1
Through Hole
TO-247-3
22.4 A
22.4A (Tc)
20 V
195.3 W
195.3W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
22 A
22A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
26 A
26A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
18 A
18A (Tc)
20 V
-
101W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
23.8 A
23.8A (Tc)
20 V
-
176W (Tc)
10V
IPW65R150CFDFKSA1 PDF数据手册
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