规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
工厂交货时间
16 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-247-3
晶体管元件材料
SILICON
22A Tc
10V
1
190W Tc
110 ns
操作温度
150°C TJ
包装
Tube
系列
MDmesh™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
STW32N
JESD-30代码
R-PSFM-T3
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
190W
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
130m Ω @ 11A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1973pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
62.5nC @ 10V
上升时间
9.5ns
Vgs（最大值）
±25V
下降时间（典型值）
23.6 ns
连续放电电流(ID)
22A
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
500V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
88A
雪崩能量等级（Eas）
340 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxDrive Voltage (Max Rds On,Min Rds On)
STW32NM50N
Through Hole
TO-247-3
22 A
22A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
21 A
21A (Tc)
25 V
150 W
150W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
24 A
24A (Tc)
25 V
170 W
170W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
22.4 A
22.4A (Tc)
20 V
195.3 W
195.3W (Tc)
10V
Through Hole
TO-247-3
26 A
26A (Tc)
25 V
190 W
190W (Tc)
10V
STW32NM50N PDF数据手册
- 数据表 :