STB95N3LLH6
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
80A Tc
4.5V 10V
1
70W Tc
24.5 ns
操作温度
175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
端子位置
SINGLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
245
基本部件号
STB95N
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
70W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
19 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.2m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2200pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
24.5nC @ 4.5V
上升时间
91ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
23.4 ns
连续放电电流(ID)
80A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏极-源极导通最大电阻
0.007Ohm
高度
4.6mm
长度
10.75mm
宽度
10.4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
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30V
80 A
80A (Tc)
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20 V
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90 A
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87 A
87A (Tc)
-
20 V
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80 A
80A (Tc)
1 V
20 V
110 W
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30V
90 A
90A (Tc)
3 V
20 V
120 W