STB155N3LH6
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
工厂交货时间
20 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
80A Tc
5V 10V
1
110W Tc
100 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Cut Tape (CT)
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
JESD-609代码
e3
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
3MOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
附加功能
ULTRA-LOW RESISTANCE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
245
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STB155N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
110W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
15 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
3m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3800pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
80nC @ 5V
上升时间
85ns
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
40 ns
连续放电电流(ID)
80A
阈值电压
1V
JEDEC-95代码
TO-252
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
雪崩能量等级（Eas）
525 mJ
高度
4.6mm
长度
10.75mm
宽度
10.4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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90 A
90A (Tc)
3 V
20 V
120 W
3.1W (Ta), 120W (Tc)
STB155N3LH6 PDF数据手册
- 数据表 :
- 仿真模型 :