STB70NF3LLT4
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
NRND (Last Updated: 7 months ago)
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
70A Tc
4.5V 10V
1
100W Tc
27 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
零件状态
Not For New Designs
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
电压 - 额定直流
30V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
245
额定电流
70A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STB70N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
100W
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
23 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
9.5m Ω @ 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1650pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
33nC @ 4.5V
上升时间
165ns
Vgs（最大值）
±16V
下降时间（典型值）
28 ns
连续放电电流(ID)
35A
阈值电压
1V
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏极-源极导通最大电阻
0.0095Ohm
漏源击穿电压
30V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
280A
双电源电压
30V
雪崩能量等级（Eas）
500 mJ
栅源电压
1 V
高度
4.6mm
长度
10.75mm
宽度
10.4mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseContinuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-MaxElement Configuration
STB70NF3LLT4
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
35 A
70A (Tc)
16 V
100 W
100W (Tc)
Single
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
64 A
64A (Tc)
16 V
110 W
94W (Tc)
Single
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
74 A
74A (Tc)
20 V
80 W
80W (Tc)
Single
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
74 A
74A (Tc)
20 V
80 W
80W (Tc)
Single
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
75 A
9.7A (Ta), 75A (Tc)
20 V
74.4 W
1.25W (Ta), 74.4W (Tc)
Single
STB70NF3LLT4 PDF数据手册
- 数据表 :