IRF3709SPBF
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
90A Tc
4.5V 10V
1
3.1W Ta 120W Tc
21 ns
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tube
系列
HEXFET®
已出版
2001
零件状态
Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电阻
9MOhm
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
30V
额定电流
90A
元素配置
Single
功率耗散
120W
接通延迟时间
11 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
9mOhm @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2672pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
41nC @ 5V
上升时间
171ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs（最大值）
±20V
下降时间（典型值）
9.2 ns
连续放电电流(ID)
90A
阈值电压
3V
栅极至源极电压(Vgs)
20V
漏源击穿电压
30V
双电源电压
30V
输入电容
2.672nF
漏源电阻
10.5mOhm
最大rds
9 mΩ
栅源电压
3 V
高度
4.826mm
长度
10.668mm
宽度
9.65mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Current - Continuous Drain (Id) @ 25°CThreshold VoltageRds On MaxGate to Source Voltage (Vgs)Power DissipationPower Dissipation-Max
IRF3709SPBF
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
30V
90 A
90A (Tc)
3 V
9 mΩ
20 V
120 W
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
116 A
116A (Tc)
3 V
-
16 V
170 W
3.8W (Ta), 180W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
90 A
90A (Tc)
-
-
20 V
120 W
3.1W (Ta), 120W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
87 A
87A (Tc)
-
-
20 V
79 W
79W (Tc)
Surface Mount
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
-
85 A
85A (Tc)
-
-
16 V
110 W
110W (Tc)
IRF3709SPBF PDF数据手册
- 数据表 :
- 其他相关文件 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 零件状态更改 :
- 冲突矿产声明 :