STB85NF3LLT4
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
MOSFET N-Ch 30 Volt 85 Amp
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
85A Tc
4.5V 10V
1
110W Tc
36.5 ns
操作温度
-65°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
STripFET™ II
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
电阻
8mOhm
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
电压 - 额定直流
30V
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度（摄氏度）
245
额定电流
85A
时间@峰值回流温度-最大值(s)
30
基本部件号
STB85N
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
元素配置
Single
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
110W
接通延迟时间
22 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
8m Ω @ 40A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2210pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
40nC @ 4.5V
上升时间
130ns
Vgs（最大值）
±16V
下降时间（典型值）
36.5 ns
连续放电电流(ID)
85A
栅极至源极电压(Vgs)
16V
漏源击穿电压
30V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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79 W
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90 A
90A (Tc)
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120 W
3.1W (Ta), 120W (Tc)
No
STB85NF3LLT4 PDF数据手册
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