![SD56120](https://static.esinoelec.com/200dimg/stmicroelectronics-let9150-9592.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
NRND (Last Updated: 8 months ago)
底架
Screw
包装/外壳
M246
引脚数
5
2
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
最高工作温度
200°C
最小工作温度
-65°C
电压 - 额定直流
65V
最大功率耗散
217W
终端形式
FLAT
额定电流
14A
频率
860MHz
基本部件号
SD56120
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDFM-F4
元素配置
Dual
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率耗散
217W
箱体转运
SOURCE
测试电流
400mA
晶体管应用
AMPLIFIER
漏源电压 (Vdss)
65V
极性/通道类型
N-CHANNEL
晶体管类型
LDMOS
连续放电电流(ID)
14A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
增益
16dB
最大输出功率
100W
漏源击穿电压
65V
输入电容
82pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试
28V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Gate to Source Voltage (Vgs)Max Power DissipationPower DissipationInput Capacitance
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SD56120
Screw
M246
65 V
14 A
20 V
217 W
217 W
82 pF
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M243
65 V
5 A
20 V
93 W
93 W
80 pF
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Screw
M243
65 V
4 A
20 V
74 W
74 W
58 pF
-
Screw
M252
65 V
14 A
20 V
236 W
236 W
169 pF
SD56120 PDF数据手册
- 数据表 :
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