表面安装

YES

终端数量

84

GRID ARRAY, FINE PITCH

3

32000000

PLASTIC/EPOXY

BGA84,9X15,32

NOT SPECIFIED

0.45 ns

95 °C

Yes

K4T51163QG-HCE6

333 MHz

33554432 words

1.8 V

FBGA

RECTANGULAR

Samsung Semiconductor

Obsolete

SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

5.79

JESD-609代码

e1

无铅代码

Yes

端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

子类别

DRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PBGA-B84

资历状况

Not Qualified

电源

1.8 V

温度等级

OTHER

电源电流-最大值

0.235 mA

组织结构

32MX16

输出特性

3-STATE

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.008 A

记忆密度

536870912 bit

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DDR DRAM

刷新周期

8192

顺序突发长度

4,8

交错突发长度

4,8