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K4D263238M-QC50

型号:

K4D263238M-QC50

品牌:

Samsung

封装:

-

描述:

DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    100

  • TQFP, TQFP100,.7X.9

  • FLATPACK, THIN PROFILE

  • 4000000

  • PLASTIC/EPOXY

  • TQFP100,.7X.9

  • NOT SPECIFIED

  • 0.7 ns

  • 65 °C

  • No

  • K4D263238M-QC50

  • 200 MHz

  • 4194304 words

  • 2.5 V

  • TQFP

  • RECTANGULAR

  • Samsung Semiconductor

  • Obsolete

  • SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC

  • 5.3

  • QFP

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    AUTO/SELF REFRESH

  • HTS代码

    8542.32.00.02

  • 子类别

    DRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    QUAD

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.65 mm

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    100

  • JESD-30代码

    R-PQFP-G100

  • 资历状况

    Not Qualified

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    2.625 V

  • 电源

    2.5 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    2.375 V

  • 端口的数量

    1

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.55 mA

  • 组织结构

    4MX32

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    32

  • 待机电流-最大值

    0.08 A

  • 记忆密度

    134217728 bit

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DDR DRAM

  • 刷新周期

    4096

  • 顺序突发长度

    2,4,8,FP

  • 交错突发长度

    2,4,8

  • 访问模式

    FOUR BANK PAGE BURST

  • 自我刷新

    YES

  • 宽度

    14 mm

  • 长度

    20 mm

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