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K4D263238M-QC50
-
DDR DRAM, 4MX32, 0.7ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
规格参数
- 类型参数全选
表面安装
YES
终端数量
100
TQFP, TQFP100,.7X.9
FLATPACK, THIN PROFILE
4000000
PLASTIC/EPOXY
TQFP100,.7X.9
NOT SPECIFIED
0.7 ns
65 °C
No
K4D263238M-QC50
200 MHz
4194304 words
2.5 V
TQFP
RECTANGULAR
Samsung Semiconductor
Obsolete
SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
5.3
QFP
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
AUTO/SELF REFRESH
HTS代码
8542.32.00.02
子类别
DRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功能数量
1
端子间距
0.65 mm
Reach合规守则
compliant
引脚数量
100
JESD-30代码
R-PQFP-G100
资历状况
Not Qualified
电源电压-最大值(Vsup)
2.625 V
电源
2.5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
2.375 V
端口的数量
1
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.55 mA
组织结构
4MX32
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
32
待机电流-最大值
0.08 A
记忆密度
134217728 bit
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DDR DRAM
刷新周期
4096
顺序突发长度
2,4,8,FP
交错突发长度
2,4,8
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
自我刷新
YES
宽度
14 mm
长度
20 mm