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IMH23T110

型号:

IMH23T110

封装:

SC-74, SOT-457

描述:

TRANS PREBIAS DUAL NPN SMT6

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    SC-74, SOT-457

  • 引脚数

    6

  • 20V

  • 2

  • 820

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2004

  • JESD-609代码

    e1

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • HTS代码

    8541.21.00.75

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    10

  • 基本部件号

    *MH23

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 功率耗散

    300mW

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 晶体管类型

    2 NPN - Pre-Biased (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    20V

  • 最大集电极电流

    600mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    820 @ 50mA 5V

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    150mV @ 2.5mA, 50mA

  • 转换频率

    150MHz

  • 最大击穿电压

    20V

  • 频率转换

    150MHz

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    12V

  • 电阻基(R1)

    4.7k Ω

  • 高度

    1.2mm

  • 长度

    3mm

  • 宽度

    1.8mm

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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    产品型号
    品牌
    Mount
    Package / Case
    Polarity
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    Max Collector Current
    Frequency - Transition
    Transition Frequency
    Collector Emitter Saturation Voltage
    hFE Min
    Max Power Dissipation
  • IMH23T110

    IMH23T110

    Surface Mount

    SC-74, SOT-457

    NPN

    20 V

    600 mA

    150MHz

    150 MHz

    150 mV

    820

    300 mW

  • DTC643TKT146

    Surface Mount

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    NPN

    20 V

    600 mA

    150MHz

    150 MHz

    -

    820

    200 mW

  • IMH21T110

    Surface Mount, Through Hole

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    NPN

    20 V

    600 mA

    150MHz

    150 MHz

    -

    820

    200 mW

  • DTC623TKT146

    Surface Mount

    SMD/SMT

    NPN

    20 V

    600 mA

    -

    150 MHz

    150 mV

    820

    300 mW