![UMG11NTR](https://static.esinoelec.com/200dimg/rohmsemiconductor-umy1ntr-0569.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
引脚数
5
50V
2
80
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e2
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN COPPER
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-50°C
附加功能
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 21
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
150mW
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
*MG11
引脚数量
5
极性
NPN
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
2.2k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
VCEsat-最大值
0.3 V
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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UMG11NTR PDF数据手册
- 数据表 :