规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
Production (Last Updated: 2 years ago)
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
底架
Surface Mount
表面安装
YES
供应商器件包装
EMT6
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Rohm Semiconductor
Active
100mA
1
EMT
47
0.1(A)
50(V)
80
2
50 V
100 mA
80
MSL 1 - Unlimited
-
Dual NPN
150 mW
+ 150 C
8000
SMD/SMT
EMH52
ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor
250 MHz
Details
ROHS COMPLIANT, EMT6, SC-107C, 6 PIN
SMALL OUTLINE
1
PLASTIC/EPOXY
NOT SPECIFIED
Yes
250 MHz
EMH52T2R
RECTANGULAR
2
Active
ROHM CO LTD
1.74
系列
-
包装
Tape and Reel
ECCN 代码
EAR99
类型
NPN
子类别
Transistors
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
compliant
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-F6
输出电压
150 mV
配置
Dual
功率耗散
0.15(W)
功率 - 最大
150mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
150mV @ 500μA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）
50V
频率转换
250MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.1 A
最小直流增益（hFE）
80
电阻基(R1)
47kOhms
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47kOhms
集电极-发射器电压-最大值
50 V
产品类别
Bipolar Transistors - Pre-Biased