
NTQD6968NR2G
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
N-CHANNEL POWER MOSFET
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
6.2A
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
no
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
终止次数
8
端子表面处理
MATTE TIN
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
引脚数量
8
JESD-30代码
R-PDSO-G8
资历状况
COMMERCIAL
配置
COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率 - 最大
1.39W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
22m Ω @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
630pF @ 16V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6.2A
漏极-源极导通最大电阻
0.03Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
18A
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NTQD6968NR2G PDF数据手册
- 数据表 :