
NTLJD2104PTAG
6-WDFN Exposed Pad
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-WDFN Exposed Pad
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
2.4A
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
端子表面处理
MATTE TIN
终端形式
NO LEAD
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
引脚数量
6
JESD-30代码
S-XDSO-N6
资历状况
COMMERCIAL
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
ENHANCEMENT MODE
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
700mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
90m Ω @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
467pF @ 6V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
8nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
12V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
2.4A
漏极-源极导通最大电阻
0.12Ohm
DS 击穿电压-最小值
12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Logic Level Gate
RoHS状态
ROHS3 Compliant
NTLJD2104PTAG PDF数据手册
- 数据表 :