你好!请登入 免费注册

我的订单 我的询价 0755-82520436 3307104213

FDS6993

型号:

FDS6993

封装:

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

描述:

P-CHANNEL POWER MOSFET

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 4.3A 6.8A

  • 2

  • 操作温度

    -55°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    PowerTrench®

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    8

  • 端子表面处理

    TIN

  • 终端形式

    GULL WING

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    NOT SPECIFIED

  • Reach合规守则

    unknown

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    NOT SPECIFIED

  • 引脚数量

    8

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G8

  • 资历状况

    COMMERCIAL

  • 配置

    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    ENHANCEMENT MODE

  • 功率 - 最大

    900mW

  • 场效应管类型

    2 P-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    55m Ω @ 4.3A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    3V @ 250μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    530pF @ 15V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    7.7nC @ 5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V 12V

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    4.3A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.055Ohm

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    20A

  • DS 击穿电压-最小值

    30V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 场效应管特性

    Logic Level Gate

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0 类似产品

FDS6993 PDF数据手册