表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

FLANGE MOUNT

1

PLASTIC/EPOXY

PRSS0004ZE-A4

NOT SPECIFIED

150 °C

Yes

H5N3004P-E

RECTANGULAR

Renesas Electronics Corporation

1

Obsolete

RENESAS ELECTRONICS CORP

5.47

TO-3P

25 A

JESD-609代码

e2

无铅代码

Yes

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN COPPER

子类别

FET General Purpose Power

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

Not Qualified

Renesas

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

ENHANCEMENT MODE

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

25 A

漏极-源极导通最大电阻

0.093 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

300 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

150 W