规格参数
- 类型参数全选
表面安装
NO
终端数量
18
No
Transferred
PHILIPS SEMICONDUCTORS
DIP, DIP18,.3
55 ns
2048 words
2000
125 °C
-55 °C
CERAMIC
DIP
DIP18,.3
RECTANGULAR
IN-LINE
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.71
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XDIP-T18
资历状况
Not Qualified
温度等级
MILITARY
电源电流-最大值
0.16 mA
组织结构
2KX4
内存宽度
4
记忆密度
8192 bit
筛选水平
38535Q/M;38534H;883B
内存IC类型
OTP ROM