![QSE113](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-qse113-3005.jpg)
QSE113
Radial, Side View
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR QSE113 Phototransistor, 880 nm, 25 , 100 mW, 2 Pins, Side Looking
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 18 hours ago)
工厂交货时间
4 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
Radial, Side View
引脚数
2
质量
135mg
形状
ROUND
1
30V
30V
操作温度
-40°C~100°C TA
包装
Bulk
已出版
2002
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
HIGH SENSITIVITY, DAY LIGHT FILTER, SIDE LOOKER
电压 - 额定直流
30V
最大功率耗散
100mW
方向
Side View
功能数量
1
输出电压
30V
引线长度
12.7mm
工作电源电压
5V
极性
NPN
配置
SINGLE
功率耗散
100mW
视角
50°
输出功率
100mW
光电子器件类型
PHOTO TRANSISTOR
镜头风格
Domed
上升时间
8μs
下降时间(典型值)
8 μs
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
5mA
波长 - 峰值
880 nm
镜头颜色
Black, Clear
消耗功率
100mW
最大输入电流
100μA
输入电流
100μA
暗电流
100nA
红外线范围
YES
响应时间-最大
0.000008s
轻型电流-Nom
0.25mA
长度
4.44mm
高度
5.08mm
宽度
2.54mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentViewing AngleOrientationRise TimeMax Power Dissipation
-
QSE113
Radial, Side View
2
30 V
5 mA
50°
Side View
8 μs
100 mW
-
Radial
2
30 V
2.4 mA
70°
Side View
10 μs
100 mW
-
Radial
2
30 V
3.12 mA
20°
Top View
10 μs
100 mW
-
Radial
2
30 V
3.6 mA
20°
Top View
10 μs
100 mW
QSE113 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :