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QSB363

型号:

QSB363

封装:

Axial

数据表:

QSB363

描述:

QSB363 Series 30 V 940 nm Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 生命周期状态

    ACTIVE (Last Updated: 10 hours ago)

  • 工厂交货时间

    13 Weeks

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    Axial

  • 引脚数

    2

  • 质量

    90mg

  • 形状

    ROUND

  • 30V

  • 1

  • 30V

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Bulk

  • 已出版

    2013

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 附加功能

    DAY LIGHT FILTER

  • 电压 - 额定直流

    30V

  • 最大功率耗散

    75mW

  • 方向

    Top View

  • 功能数量

    1

  • 额定电流

    700mA

  • 工作电源电压

    5V

  • 极性

    NPN

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    75mW

  • 视角

    24°

  • 输出功率

    75mW

  • 光电子器件类型

    PHOTO TRANSISTOR

  • 镜头风格

    Domed

  • 上升时间

    15μs

  • 下降时间(典型值)

    15 μs

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    30V

  • 最大集电极电流

    1.5mA

  • 波长 - 峰值

    940 nm

  • 镜头颜色

    Black, Clear

  • 消耗功率

    75mW

  • 最大击穿电压

    30V

  • 暗电流

    100nA

  • 红外线范围

    YES

  • 轻型电流-Nom

    1.5mA

  • 高度

    3mm

  • 长度

    2.7mm

  • 宽度

    2.2mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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