![QSD123A4R0](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-qsd123a4r0-2325.jpg)
QSD123A4R0
Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin T-1 3/4 T/R
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
13 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
引脚数
2
质量
284mg
形状
ROUND
30V
1
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
100mW
方向
Top View
功能数量
1
极性
NPN
配置
SINGLE
功率耗散
100mW
视角
24°
光电子器件类型
PHOTO TRANSISTOR
大小
5mm
上升时间
7μs
下降时间(典型值)
7 μs
集电极发射器电压(VCEO)
5V
最大集电极电流
16mA
最大击穿电压
30V
暗电流
100nA
红外线范围
YES
轻型电流-Nom
4mA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentViewing AngleOrientationRise TimeMax Power DissipationPower Dissipation
-
QSD123A4R0
Radial, 5mm Dia (T 1 3/4)
2
30 V
16 mA
24°
Top View
7 μs
100 mW
100 mW
-
Radial
2
30 V
2.4 mA
70°
Side View
10 μs
100 mW
100 mW
-
Radial
2
30 V
3.6 mA
20°
Top View
10 μs
100 mW
-
-
Radial
2
32 V
50 mA
24°
Top View
4.8 μs
100 mW
100 mW
-
Radial, Side View
2
30 V
600 μA
30°
Side View
20 μs
100 mW
100 mW
QSD123A4R0 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :