![MOCD211R1VM](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-hcpl0601r1-0657.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装
8-SOIC
20% @ 10mA
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压-隔离度
2500Vrms
输出类型
Transistor
通道数量
2
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.25V
输入类型
DC
上升/下降时间(Typ)
3.2μs 4.7μs
最大直流驱动电流(If)
60mA
接通 / 关断时间(典型值)
7.5μs, 5.7μs
Vce 饱和度(最大值)
400mV
MOCD211R1VM PDF数据手册
- 数据表 :