![MOCD207M](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-mocd207r2vm-7207.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
6 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
触点镀层
Tin
引脚数
8
质量
251.998911mg
5.7 μs
2
100% @ 10mA
100V
已出版
2004
包装
Tube
操作温度
-40°C~100°C
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
250mW
审批机构
UL
电压-隔离度
2500Vrms
输出电压
70V
输出类型
Transistor
电压
6V
功率耗散
240mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.25V
输入类型
DC
接通延迟时间
7.5 μs
正向电流
60mA
最大输出电压
70V
每个通道的输出电流
150mA
上升时间
3μs
集电极发射器电压(VCEO)
70V
最大集电极电流
150mA
上升/下降时间(Typ)
3.2μs 4.7μs
反向击穿电压
6V
最大输入电流
60mA
输入电流
30mA
电流传输比(最大)
200% @ 10mA
接通 / 关断时间(典型值)
7.5μs, 5.7μs
最大结点温度(Tj)
125°C
反向电压(直流电)
6V
环境温度范围高
100°C
暗电流(最大)
50nA
测试电压
3kV
宽度
4.16mm
长度
5.13mm
高度
3.63mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
No
达到SVHC
No SVHC
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsVoltage - IsolationCurrent Transfer Ratio (Max)Current Transfer Ratio (Min)Rise TimeMax Output VoltageOutput Voltage
-
MOCD207M
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
2500Vrms
200% @ 10mA
100% @ 10mA
3 μs
70 V
70 V
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
4000Vrms
200% @ 10mA
100% @ 10mA
5 μs
70 V
70 V
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
4000Vrms
200% @ 10mA
100% @ 10mA
-
70 V
70 V
-
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8
4000Vrms
125% @ 10mA
63% @ 10mA
3 μs
70 V
70 V
MOCD207M PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :