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HMHA2801

型号:

HMHA2801

封装:

4-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

描述:

OPTOISO 3.75KV TRANSISTOR 4SMD

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 工厂交货时间

    7 Weeks

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    Surface Mount

  • 安装类型

    Surface Mount

  • 包装/外壳

    4-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

  • 引脚数

    4

  • 质量

    120mg

  • 80% @ 5mA

  • 1

  • 操作温度

    -55°C~100°C

  • 包装

    Tube

  • 已出版

    2001

  • JESD-609代码

    e3

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Active

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 附加功能

    UL RECOGNIZED

  • 电压 - 额定直流

    5V

  • 最大功率耗散

    150mW

  • 电压-隔离度

    3750Vrms

  • 输出电压

    80V

  • 输出类型

    Transistor

  • 配置

    SINGLE

  • 功率耗散

    150mW

  • 电压 - 正向 (Vf) (类型)

    1.3V Max

  • 输入类型

    DC

  • 正向电流

    50mA

  • 最大输出电压

    80V

  • 每个通道的输出电流

    50mA

  • 上升时间

    3μs

  • 下降时间(典型值)

    3 μs

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    50mA

  • 上升/下降时间(Typ)

    3μs 3μs

  • 反向击穿电压

    6V

  • 最大输入电流

    50mA

  • 输入电流

    10mA

  • 电流传输比(最大)

    600% @ 5mA

  • 反向电压(直流电)

    6V

  • 高度

    2.19mm

  • 长度

    2.69mm

  • 宽度

    4.4mm

  • 达到SVHC

    No SVHC

  • 辐射硬化

    No

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    Lead Free

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  • 图片
    产品型号
    品牌
    Package / Case
    Number of Pins
    Voltage - Isolation
    Current Transfer Ratio (Max)
    Current Transfer Ratio (Min)
    Rise Time
    Max Output Voltage
    Output Voltage
  • HMHA2801

    HMHA2801

    4-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

    4

    3750Vrms

    600% @ 5mA

    80% @ 5mA

    3 μs

    80 V

    80 V

  • LTV-356T

    4-SMD, Gull Wing

    4

    3750Vrms

    600% @ 5mA

    50% @ 5mA

    18 μs

    80 V

    80 V

  • LTV-357T

    4-SMD, Gull Wing

    4

    3750Vrms

    600% @ 5mA

    50% @ 5mA

    18 μs

    35 V

    35 V

  • LTV-354T

    4-SMD, Gull Wing

    4

    3750Vrms

    400% @ 1mA

    20% @ 1mA

    18 μs

    35 V

    35 V

  • TLP124(TPR,F)

    6-SMD (4 Leads), Gull Wing

    4

    3750Vrms

    1200% @ 1mA

    100% @ 1mA

    8 μs

    80 V

    80 V