![MOC8111TM](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-moc8111tm-1592.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
6-DIP (0.400, 10.16mm)
引脚数
6
供应商器件包装
6-DIP
20% @ 10mA
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
260mW
电压-隔离度
7500Vpk
输出电压
70V
输出类型
Transistor
通道数量
1
功率耗散
260mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.15V
输入类型
DC
正向电流
90mA
最大输出电压
70V
上升时间
4μs
正向电压
1.65V
下降时间(典型值)
20 μs
集电极发射器电压(VCEO)
70V
上升/下降时间(Typ)
2μs 11μs
反向击穿电压
6V
最大直流驱动电流(If)
90mA
接通 / 关断时间(典型值)
3μs, 18μs
Vce 饱和度(最大值)
400mV
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsNumber of ChannelsVoltage - IsolationCurrent Transfer Ratio (Min)Rise TimeMax Output VoltageOutput VoltageForward Voltage
-
MOC8111TM
6-DIP (0.400, 10.16mm)
6
1
7500Vpk
20% @ 10mA
4 μs
70 V
70 V
1.65 V
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
5300Vrms
100% @ 10mA
3 μs
70 V
70 V
1.65 V
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
5000Vrms
100% @ 10mA
3 μs
70 V
70 V
1.65 V
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
-
5000Vrms
160% @ 10mA
4 μs
70 V
70 V
-
-
6-DIP (0.400, 10.16mm)
6
1
5000Vrms
160% @ 10mA
5 μs
70 V
70 V
-
MOC8111TM PDF数据手册
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