![MOC215R1M](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-hcpl0601r1-0657.jpg)
MOC215R1M
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
OPTOISO 2.5KV TRANS W/BASE 8SOIC
规格参数
- 类型参数全选
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
引脚数
8
供应商器件包装
8-SOIC
20% @ 1mA
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-40°C
最大功率耗散
250mW
电压-隔离度
2500Vrms
输出电压
30V
输出类型
Transistor with Base
通道数量
1
电路数量
1
功率耗散
250mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.07V
输入类型
DC
正向电流
60mA
每个通道的输出电流
150mA
上升时间
3.2μs
正向电压
1.3V
集电极发射器电压(VCEO)
30V
最大集电极电流
150mA
上升/下降时间(Typ)
3μs 3μs
反向击穿电压
6V
最大直流驱动电流(If)
60mA
接通 / 关断时间(典型值)
4μs, 4μs
Vce 饱和度(最大值)
400mV
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
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