![MCT6W](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-micrf022bn-3345.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
2 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
8-DIP (0.400, 10.16mm)
引脚数
8
质量
882mg
20% @ 10mA
2
操作温度
-55°C~100°C
包装
Tube
已出版
2004
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
UL RECOGNIZED
最大功率耗散
400mW
电压-隔离度
5000Vrms
输出电压
30V
输出类型
Transistor
功率耗散
400mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.2V
输入类型
DC
正向电流
60mA
最大输出电压
30V
每个通道的输出电流
30mA
上升时间
2.4μs
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
30mA
反向击穿电压
25V
正向电压-最大值
1.5V
最大输入电流
60mA
通态电流最大值
0.03A
接通 / 关断时间(典型值)
2.4μs, 2.4μs
电流传输比
20%
暗电流(最大)
100nA
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsVoltage - IsolationCurrent Transfer RatioCurrent Transfer Ratio (Min)Rise TimeMax Output VoltageOutput Voltage
-
MCT6W
8-DIP (0.400, 10.16mm)
8
5000Vrms
20%
20% @ 10mA
2.4 μs
30 V
30 V
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8-DIP (0.300, 7.62mm)
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30 V
70 V
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8-DIP (0.300, 7.62mm)
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70 V
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8-DIP (0.300, 7.62mm)
8
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50 %
20% @ 10mA
-
30 V
30 V
-
8-DIP (0.300, 7.62mm)
8
5300Vrms
20%
20% @ 10mA
-
-
30 V
MCT6W PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :