![MCT62W](https://static.esinoelec.com/200dimg/rochesterelectronicsllc-micrf022bn-3345.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
8-DIP (0.400, 10.16mm)
引脚数
8
质量
882mg
100% @ 5mA
2
操作温度
-55°C~100°C
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最大功率耗散
400mW
电压-隔离度
5000Vrms
输出电压
30V
输出类型
Transistor
功率耗散
400mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.2V
输入类型
DC
正向电流
60mA
每个通道的输出电流
30mA
上升时间
2.4μs
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
30mA
反向击穿电压
25V
接通 / 关断时间(典型值)
2.4μs, 2.4μs
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
MCT62W PDF数据手册
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- 到达声明 :