![J175](https://static.esinoelec.com/200dimg/microchiptechnology-11aa010ito-9503.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
引脚数
3
供应商器件包装
TO-92-3
质量
201mg
30V
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Bulk
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
电压 - 额定直流
-30V
最大功率耗散
350mW
额定电流
50mA
基本部件号
J175
元素配置
Single
功率耗散
350mW
功率 - 最大
350mW
场效应管类型
P-Channel
漏源电压 (Vdss)
30V
连续放电电流(ID)
-60mA
栅极至源极电压(Vgs)
30V
漏源电阻
125Ohm
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
7mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
3V @ 10nA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
30V
电阻-RDS(On)
125Ohms
辐射硬化
No
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Drain to Source ResistanceMax Power DissipationPower DissipationGate to Source Voltage (Vgs)
-
J175
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
30 V
-60 mA
125 Ω
350 mW
350 mW
30 V
-
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
30 V
-25 mA
250 Ω
350 mW
350 mW
30 V
J175 PDF数据手册
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