![MMBFU310LT1G](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-nup2105lt1g-6415.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
引脚数
3
质量
1.437803g
晶体管元件材料
SILICON
-25V
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
10mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MBFU310
引脚数量
3
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
225mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
AMPLIFIER
无卤素
Halogen Free
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5pF @ 10V VGS
连续放电电流(ID)
60mA
栅极至源极电压(Vgs)
25V
漏源击穿电压
25V
场效应管技术
JUNCTION
反馈上限-最大值 (Crss)
2.5 pF
最高频段
ULTRA HIGH FREQUENCY B
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
24mA @ 10V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
2.5V @ 1nA
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseContinuous Drain Current (ID)Max Power DissipationPower DissipationGate to Source Voltage (Vgs)RoHS StatusOperating ModeTransistor Application
-
MMBFU310LT1G
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
60 mA
225 mW
225 mW
25 V
ROHS3 Compliant
DEPLETION MODE
AMPLIFIER
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
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225 mW
25 V
ROHS3 Compliant
DEPLETION MODE
AMPLIFIER
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
60 mA
225 mW
225 mW
25 V
ROHS3 Compliant
DEPLETION MODE
AMPLIFIER
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
10 mA
-
225 mW
25 V
ROHS3 Compliant
DEPLETION MODE
AMPLIFIER
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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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ROHS3 Compliant
DEPLETION MODE
AMPLIFIER
MMBFU310LT1G PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :