![MMBFJ108](https://static.esinoelec.com/200dimg/semtechcorporation-sdc15tct-7219.jpg)
MMBFJ108
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR MMBFJ108 N CHANNEL JFET, -25V, SUPERSOT-3
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
工厂交货时间
24 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Surface Mount
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
质量
30mg
晶体管元件材料
SILICON
-25V
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
电压 - 额定直流
25V
最大功率耗散
350mW
端子位置
DUAL
终端形式
GULL WING
额定电流
80mA
基本部件号
MBFJ108
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
350mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
25V
连续放电电流(ID)
80mA
栅极至源极电压(Vgs)
-25V
场效应管技术
JUNCTION
最大结点温度(Tj)
150°C
漏源电阻
8Ohm
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
80mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
3V @ 10nA
电阻-RDS(On)
8Ohm
高度
1.22mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Drain to Source ResistanceMax Power DissipationPower DissipationGate to Source Voltage (Vgs)
-
MMBFJ108
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
25 V
80 mA
8 Ω
350 mW
350 mW
-25 V
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
25 V
30 mA
-
350 mW
350 mW
-25 V
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
25 V
30 mA
10 Ω
350 mW
350 mW
-25 V
-
Surface Mount
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
25 V
16 mA
-
350 mW
350 mW
-25 V
-
-
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
-
-
-
-
-
-
MMBFJ108 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 技术图纸 :
- 到达声明 :