![J112-D27Z](https://static.esinoelec.com/200dimg/maximintegrated-ds2431tr-6748.jpg)
J112-D27Z
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
JFET N-CH 35V 625MW TO92
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
工厂交货时间
6 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
201mg
晶体管元件材料
SILICON
1
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2006
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
电压 - 额定直流
35V
最大功率耗散
625mW
端子位置
BOTTOM
峰值回流焊温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
额定电流
50mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
NOT SPECIFIED
基本部件号
J112
资历状况
Not Qualified
元素配置
Single
操作模式
DEPLETION MODE
功率耗散
625mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
35V
连续放电电流(ID)
5mA
栅极至源极电压(Vgs)
-35V
场效应管技术
JUNCTION
漏源电阻
50Ohm
反馈上限-最大值 (Crss)
5 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
5mA @ 15V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
1V @ 1μA
电阻-RDS(On)
50Ohm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌MountPackage / CaseDrain to Source Voltage (Vdss)Continuous Drain Current (ID)Drain to Source ResistanceMax Power DissipationPower DissipationGate to Source Voltage (Vgs)
-
J112-D27Z
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
35 V
5 mA
50 Ω
625 mW
625 mW
-35 V
-
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
35 V
5 mA
50 Ω
625 mW
350 mW
-35 V
-
Through Hole
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
40 V
50 mA
50 Ω
625 mW
625 mW
-40 V
J112-D27Z PDF数据手册
- 数据表 :
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- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :
- PCN 部件号 :