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H11F2M

型号:

H11F2M

封装:

6-DIP (0.300, 7.62mm)

数据表:

H11F1M-3M

描述:

OPTOISOLTR 7.5KV PHOTO FET 6-DIP

数量:

规格参数

  • 类型
    参数
    全选
  • 底架

    Through Hole

  • 安装类型

    Through Hole

  • 包装/外壳

    6-DIP (0.300, 7.62mm)

  • 引脚数

    6

  • 质量

    854.993268mg

  • 操作温度

    -40°C~100°C

  • 包装

    Tube

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    300mW

  • 电压-隔离度

    7500Vpk

  • 输出电压

    30V

  • 输出类型

    MOSFET

  • 通道数量

    1

  • 功率耗散

    300mW

  • 电压 - 正向 (Vf) (类型)

    1.3V

  • 输入类型

    DC

  • 光电子器件类型

    FET OUTPUT OPTOCOUPLER

  • 正向电流

    16mA

  • 反向击穿电压

    5V

  • 最大输入电流

    60mA

  • 接通 / 关断时间(典型值)

    45μs, 45μs (Max)

  • 反向电压(直流电)

    5V

  • RoHS状态

    RoHS Compliant

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