![H11F1TVM](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-h11f1tvm-6727.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
6-DIP (0.400, 10.16mm)
引脚数
6
质量
864mg
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Bulk
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
UL RECOGNIZED, VDE APPROVED
最大功率耗散
300mW
电压-隔离度
7500Vpk
输出类型
MOSFET
配置
SINGLE
通道数量
1
功率耗散
300mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.3V
输入类型
DC
光电子器件类型
FET OUTPUT OPTOCOUPLER
正向电流
16mA
最大输出电压
30V
反向击穿电压
5V
最大输入电流
60mA
通态电流最大值
1A
接通 / 关断时间(典型值)
45μs, 45μs (Max)
反向电压(直流电)
5V
最小击穿电压
30V
响应时间-最大
0.000025s
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsNumber of ChannelsVoltage - IsolationMax Output VoltageForward CurrentRoHS StatusMounting Type
-
H11F1TVM
6-DIP (0.400, 10.16mm)
6
1
7500Vpk
30 V
16 mA
ROHS3 Compliant
Through Hole
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
5300Vrms
400 V
80 mA
ROHS3 Compliant
Through Hole
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
5300Vrms
30 V
60 mA
ROHS3 Compliant
Through Hole
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
5300Vrms
100 V
60 mA
ROHS3 Compliant
Through Hole
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
5000Vrms
70 V
10 mA
ROHS3 Compliant
Through Hole
H11F1TVM PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :