![H11F1](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-h11l1mf132-0671.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
6-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
6
1
操作温度
-55°C~100°C
包装
Tube
已出版
2003
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
UL RECOGNIZED
最大功率耗散
300mW
电压-隔离度
5300Vrms
输出电压
30V
输出类型
MOSFET
配置
SINGLE
电压
5V
功率耗散
300mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.3V
输入类型
DC
光电子器件类型
FET OUTPUT OPTOCOUPLER
正向电流
16mA
上升时间
25μs
反向击穿电压
5V
最大直流驱动电流(If)
60mA
通态电流最大值
1A
接通 / 关断时间(典型值)
25μs, 25μs (Max)
反向电压(直流电)
5V
响应时间-最大
0.000025s
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
H11F1 PDF数据手册
- 数据表 :
- 到达声明 :