![H11AV1M](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-h11l1mf132-0671.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
6-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
6
质量
855mg
100% @ 10mA
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tube
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
UL RECOGNIZED
最大功率耗散
250mW
电压-隔离度
4170Vrms
输出电压
100V
输出类型
Transistor with Base
配置
SINGLE
功率耗散
250mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.18V
输入类型
DC
光电子器件类型
TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
正向电流
60mA
最大输出电压
70V
上升时间
15μs
下降时间(典型值)
15 μs
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
反向击穿电压
6V
最大输入电流
60mA
输入电流
60mA
电流传输比(最大)
300% @ 10mA
接通 / 关断时间(典型值)
15μs, 15μs (Max)
暗电流(最大)
50nA
高度
3.53mm
长度
8.89mm
宽度
6.6mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsVoltage - IsolationCurrent Transfer Ratio (Max)Current Transfer Ratio (Min)Rise TimeMax Output VoltageOutput Voltage
-
H11AV1M
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
4170Vrms
300% @ 10mA
100% @ 10mA
15 μs
70 V
100 V
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
5300Vrms
-
500% @ 10mA
5 μs
30 V
30 V
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
5300Vrms
256% @ 10mA
160% @ 10mA
-
30 V
30 V
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
5000Vrms
-
20% @ 10mA
5 μs
300 V
300 V
-
6-DIP (0.400, 10.16mm)
6
5300Vrms
-
100% @ 10mA
15 μs
70 V
70 V
H11AV1M PDF数据手册
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 数据表 :