![H11AG1VM](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-h11l1mf132-0671.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
7 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
6-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
6
质量
855mg
100% @ 1mA
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tube
已出版
2015
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
UL RECOGNIZED, VDE APPROVED
最大功率耗散
260mW
电压-隔离度
4170Vrms
输出类型
Transistor with Base
配置
SINGLE
通道数量
1
功率耗散
260mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.25V
输入类型
DC
光电子器件类型
TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
正向电流
50mA
最大输出电压
30V
每个通道的输出电流
50mA
集电极发射器电压(VCEO)
400mV
最大集电极电流
50mA
反向击穿电压
6V
最大输入电流
50mA
通态电流最大值
0.05A
接通 / 关断时间(典型值)
5μs, 5μs
电流传输比
300%
RoHS状态
ROHS3 Compliant
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CaseNumber of PinsNumber of ChannelsVoltage - IsolationCurrent Transfer RatioCurrent Transfer Ratio (Min)Max Output VoltageForward Current
-
H11AG1VM
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
4170Vrms
300%
100% @ 1mA
30 V
50 mA
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
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50 mA
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
5000Vrms
50 %
100% @ 10mA
30 V
50 mA
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6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
5300Vrms
-
-
-
50 mA
-
6-DIP (0.300, 7.62mm)
6
1
4000Vrms
-
-
-
50 mA
H11AG1VM PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :