![H11AA814A300W](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fod816300w-2147.jpg)
H11AA814A300W
4-DIP (0.400, 10.16mm)
OPTOISO 5.3KV TRANSISTOR 4DIP
规格参数
- 类型参数全选
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
4-DIP (0.400, 10.16mm)
引脚数
4
供应商器件包装
4-DIP
50% @ 1mA
操作温度
-55°C~100°C
包装
Tube
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
200mW
电压-隔离度
5300Vrms
输出电压
70V
输出类型
Transistor
通道数量
1
电路数量
1
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.2V
输入类型
AC, DC
每个通道的输出电流
50mA
上升时间
2.4μs
集电极发射器电压(VCEO)
200mV
最大集电极电流
50mA
上升/下降时间(Typ)
2.4μs 2.4μs
最大直流驱动电流(If)
50mA
电流传输比(最大)
150% @ 1mA
Vce 饱和度(最大值)
200mV
RoHS状态
RoHS Compliant
无铅
Lead Free
H11AA814A300W PDF数据手册
- 数据表 :
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