![EMG2DXV5T5G](https://static.esinoelec.com/200dimg/panasonicelectroniccomponents-an26013anl-7367.jpg)
EMG2DXV5T5G
SOT-553
ON SEMICONDUCTOR - EMG2DXV5T5G - BRT TRANSISTOR, 50V, 47K/47KOHM, SOT-553, FULL REEL
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
工厂交货时间
17 Weeks
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
SOT-553
表面安装
YES
引脚数
5
50V
2
80
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
5
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
230mW
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
100mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
EMG
引脚数量
5
资历状况
Not Qualified
极性
NPN
配置
COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
功率耗散
230mW
晶体管应用
SWITCHING
无卤素
Halogen Free
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
50V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
80 @ 5mA 10V
最大集极截止电流
500nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 300μA, 10mA
发射极基极电压 (VEBO)
6V
电阻基(R1)
47k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
47k Ω
高度
600μm
长度
1.7mm
宽度
1.3mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
相关型号
- 图片产品型号品牌Package / CasePolarityCollector Emitter Breakdown VoltageMax Collector CurrentCollector Emitter Saturation VoltagehFE MinMax Power DissipationPower Dissipation
-
EMG2DXV5T5G
SOT-553
NPN
50 V
100 mA
250 mV
80
230 mW
230 mW
-
SOT-553
NPN, PNP
50 V
100 mA
250 mV
-
500 mW
500 mW
-
SOT-553
NPN, PNP
-
100 mA
250 mV
35
500 mW
357 mW
-
SOT-553
NPN, PNP
50 V
100 mA
-
60
500 mW
357 mW
-
SOT-553
NPN, PNP
50 V
100 mA
-
80
500 mW
357 mW
EMG2DXV5T5G PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN 组装/原产地 :
- PCN封装 :