![6N135M](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-fod3181-7769.jpg)
6N135M
8-DIP (0.300, 7.62mm)
OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 8DIP
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
工厂交货时间
9 Weeks
触点镀层
Tin
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
8-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
8
供应商器件包装
8-DIP
质量
891mg
7% @ 16mA
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tube
已出版
2014
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
100°C
最小工作温度
-55°C
最大功率耗散
100mW
基本部件号
6N135
电压-隔离度
5000Vrms
输出电压
20V
输出类型
Transistor with Base
通道数量
1
功率耗散
100mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.45V
输入类型
DC
正向电流
25mA
数据率
1 Mbps
每个通道的输出电流
8mA
上升时间
1.5μs
正向电压
1.7V
下降时间(典型值)
1.5 μs
最大集电极电流
8mA
反向击穿电压
5V
最大输入电流
25mA
最大直流驱动电流(If)
25mA
输入电流
16mA
电流传输比(最大)
50% @ 16mA
接通 / 关断时间(典型值)
230ns, 450ns
达到SVHC
No SVHC
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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6N135M PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :