![4N25VM](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-h11l1mf132-0671.jpg)
4N25VM
6-DIP (0.300, 7.62mm)
ON SEMICONDUCTOR - 4N25VM - OPTOCOUPLER, PHOTOTRANS, 4.17KV, DIP-6
规格参数
- 类型参数全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
工厂交货时间
5 Weeks
底架
Through Hole
安装类型
Through Hole
包装/外壳
6-DIP (0.300, 7.62mm)
引脚数
6
质量
855mg
20% @ 10mA
1
操作温度
-40°C~100°C
包装
Tube
已出版
2008
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
UL RECOGNIZED, VDE APPROVED
最大功率耗散
150mW
基本部件号
4N25
电压-隔离度
4170Vrms
输出电压
30V
输出类型
Transistor with Base
配置
SINGLE
功率耗散
250mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.18V
输入类型
DC
光电子器件类型
TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
正向电流
60mA
最大输出电压
30V
上升时间
2μs
下降时间(典型值)
2 μs
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
反向击穿电压
6V
最大输入电流
60mA
输入电流
10mA
接通 / 关断时间(典型值)
2μs, 2μs
电流传输比
20%
暗电流(最大)
50nA
高度
12.7mm
长度
12.7mm
宽度
12.7mm
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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4N25VM PDF数据手册
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- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :