![4N25SR2VM](https://static.esinoelec.com/200dimg/onsemiconductor-h11l1sr2mf132-0667.jpg)
规格参数
- 类型参数全选
工厂交货时间
7 Weeks
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
包装/外壳
6-SMD, Gull Wing
安装类型
Surface Mount
底架
Surface Mount
触点镀层
Tin
引脚数
6
质量
810mg
1
20% @ 10mA
已出版
2008
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-40°C~100°C
JESD-609代码
e3
无铅代码
yes
零件状态
Active
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
ECCN 代码
EAR99
附加功能
UL RECOGNIZED, VDE APPROVED
最大功率耗散
250mW
基本部件号
4N25
电压-隔离度
4170Vrms
输出电压
30V
输出类型
Transistor with Base
配置
SINGLE
功率耗散
250mW
电压 - 正向 (Vf) (类型)
1.18V
输入类型
DC
光电子器件类型
TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
正向电流
60mA
最大输出电压
30V
上升时间
2μs
下降时间(典型值)
2 μs
集电极发射器电压(VCEO)
500mV
反向击穿电压
6V
最大输入电流
60mA
输入电流
10mA
接通 / 关断时间(典型值)
2μs, 2μs
电流传输比
20%
暗电流(最大)
50nA
达到SVHC
No SVHC
辐射硬化
No
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
Lead Free
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4N25SR2VM
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30 V
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6
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-
30% @ 1mA
2 μs
30 V
30 V
4N25SR2VM PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :
- 技术图纸 :
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