![PMBFJ620,115](https://static.esinoelec.com/200dimg/analogdevicesinc-hmc311sc70e-7173.jpg)
PMBFJ620,115
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
NXP PMBFJ620,115 JFET Transistor, -25 V, 24 mA, 60 mA, -6.5 V, SOT-363, JFET
规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
2
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2001
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
附加功能
LOW NOISE
HTS代码
8541.21.00.75
终端形式
GULL WING
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
40
基本部件号
MBFJ620
引脚数量
6
JESD-30代码
R-PDSO-G6
资历状况
Not Qualified
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS
操作模式
ENHANCEMENT MODE
功率 - 最大
190mW
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
晶体管应用
AMPLIFIER
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5pF @ 10V
DS 击穿电压-最小值
25V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.19W
反馈上限-最大值 (Crss)
2.5 pF
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
24mA @ 10V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
2V @ 1μA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
25V
电阻-RDS(On)
50Ohm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMBFJ620,115 PDF数据手册
- 数据表 :
- 环境信息 :
- PCN 报废/ EOL :
- PCN 设计/规格 :
- PCN封装 :