规格参数
- 类型参数全选
安装类型
Surface Mount
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
YES
供应商器件包装
TO-236AB
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Active
,
150 °C
Yes
BF510
Philips Semiconductors
Transferred
PHILIPS SEMICONDUCTORS
5.57
操作温度
-10°C ~ 70°C
系列
SXT224
尺寸/尺寸
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
JESD-609代码
e3
类型
MHz Crystal
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
子类别
Other Transistors
Reach合规守则
unknown
频率
30 MHz
频率稳定性
±25ppm
ESR（等效串联电阻）
60 Ohms
负载电容
18pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±15ppm
功率 - 最大
250 mW
场效应管类型
N-Channel
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5pF @ 10V
漏源电压 (Vdss)
20 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.25 W
漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)
3 mA @ 10 V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
800 mV @ 10 µA
电压 - 击穿 （V（BR）GSS）
20 V
最大漏极电流（Id）
30 mA
座位高度(最大)
0.026 (0.65mm)